收藏本站
Si5943DU
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
2
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
N otes:
P DM
0.05
t 1
t 2
1. D u ty Cycle, D = t 1
0.01
0.02
Single P u lse
t
2
2. Per Unit Base = R thJA = 8 7 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
1 0
100
6 0 0
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
2
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single P u lse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see http://www.vishay.com/ppg?73669.
www.vishay.com
6
Document Number: 73669
S-81449-Rev. B, 23-Jun-08
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI5975DC-T1-GE3 MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
SI5980DU-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V PPAK CHIPFET
SI6404DQ-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
SI6413DQ-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
SI6423DQ-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
SI6466ADQ-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
SI6467BDQ-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
SI6924AEDQ-T1-GE3 MOSFET N-CH 28V ESD 8-TSSOP
相关代理商/技术参数
SI5944DU 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI5944DU-T1-E3 功能描述:MOSFET 40V 6.0A 10W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5944DU-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 6.0A 10W 112mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5945DU 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI5947DU-T1-E3 功能描述:MOSFET DUAL P-CH 20V(D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5947DU-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 6.0A 10.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI595SA500M000DGR 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:
SI5975DC 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
    • 我
    • 采购
    • 搜索
    • 会员